今天早上读到的新闻中，最引人注目的无疑是三星电子有关HBM4的消息。三星电子通过了下一代高带宽内存HBM4的内部质量测试，并有独家报道指出向英伟达供货的时机已近。个人一直好奇在HBM3上完全被SK海力士压制的三星将如何准备反击，现在终于有了具体的成果。
事实上，三星在HBM市场的苦战已经持续了相当长的时间。截至2024年，SK海力士在HBM市场的占有率约为80%以上，而三星仅停留在10%左右。尤其是用于英伟达H100、H200 GPU的HBM3，几乎全部是SK海力士的产品。曾有报道指出英伟达对三星的HBM3产品提出了质量问题，实际上三星也曾一度被排除在英伟达的HBM供应商名单之外。
然而，这次在HBM4上情况似乎会有所不同。根据报道，三星电子通过了HBM4的内部质量测试，并在速度和电力效率方面都取得了良好结果。更重要的是，英伟达的质量测试结果也即将公布。如果通过英伟达的质量测试，三星有望重新在HBM市场上获得有意义的市场份额。
从HBM4的技术规格来看，为什么它如此重要就不难理解了。HBM4相比HBM3，带宽提高了约1.5倍以上，电力效率也将大幅改善。具体来说，预计将提供每秒超过2TB的带宽，这远远快于目前HBM3的819GB/s。随着AI模型越来越大和复杂，对内存带宽的需求也在急剧增加。
内存行业格局变化的信号
有趣的是，传出美光也开始重新设计HBM4的消息。分析指出，英伟达CEO黄仁勋最近对三星和SK海力士的赞赏是有原因的。这被解读为英伟达积极推动HBM供应商多元化的信号。目前，英伟达似乎在努力摆脱对SK海力士的过度依赖。
实际上，截至2025年，HBM市场规模约为200亿美元，预计到2030年将超过500亿美元。年均增长率超过20%的高增长市场。在这种情况下，若三星通过HBM4恢复市场份额，将对整个内存业务的盈利性有很大帮助。尤其是HBM的价格比普通DRAM高出5-10倍，因此利润改善效果将相当显著。
三星半导体部门的大幅人事变动也值得关注。DRAM开发室长黄相俊被任命为代工事业部部长，这似乎是为了将内存技术力应用于代工业务。实际上，三星代工最近传出收到特斯拉关于4纳米工艺的合作请求，并向高通提供了2纳米下一代AP样品的消息。
但有一个有趣的点是，今年预计不会有HBM4设备订单。这可能意味着可以利用现有的HBM3设备生产HBM4，或者尚未确定正式的量产计划。像韩美半导体这样的设备公司可能会暂时面临困难时期。
SK海力士的应对与内存超级繁荣
SK海力士似乎也不会坐视不理。最近有消息称其正在进行公开招聘，并支付了每人1亿韩元的绩效奖金，这显示了人才争夺战的激烈程度。整个内存行业迎来了超级繁荣，预计三星和SK海力士都将开启营业利润10万亿韩元的时代。
个人认为，这种情况对韩国半导体产业是积极的。三星和SK海力士的竞争将加快技术进步的速度，最终也将增强全球竞争力。尤其是在中国的长江存储和长鑫存储等企业追赶的情况下，这是韩国企业拉大技术差距的机会。
SSD短缺的消息也很有趣。订单积压了一年，这显示了内存需求的爆炸性增长。随着AI数据中心建设的加速，不仅内存，存储需求也在急剧增加。对于三星或SK海力士这样的内存公司来说，这是全方位的利好局面。
不过，有一点令人担忧的是内存市场的波动性。过去也曾有内存繁荣持续几年后突然急剧下滑的情况。尤其是在AI泡沫担忧被提出的情况下，内存需求可能会比预期更快放缓。因此，三星和SK海力士都需要利用这次繁荣期加大对下一代技术的投资。
总之，我认为三星电子通过HBM4质量测试是可能对内存市场格局产生重大变化的重要事件。这也是弥补HBM3失败并重新夺回内存霸权的机会。我们需要关注英伟达质量测试结果如何，以及实际量产和供货计划如何，但至少这是一个三星不会在HBM市场上完全被淘汰的积极信号。
本文是阅读[独家] 三星电子通过HBM4内部质量测试 … 英伟达供货在即文章后，加入个人意见和分析撰写而成。
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